近所のスーパーでイチゴが安売りされていたのでいちごジャムを作ることにしました。 弱火でコトコト煮込みます。
まず、鍋を用意して、ヘタを取ったいちごを入れます。
弱火をかけて少しずつつぶしていきます。
少しずつつぶしていきます。灰汁っぽいのは適当に取り除きます。
50分ぐらいで形がなくなってきたところで砂糖を投入します。
こげないように適宜混ぜて煮詰めていきます。
2時間ぐらいでいい感じに仕上がりました。
パンにつけて食べます。うまい！
調整のし過ぎは良くないかも、という話～ハンチング現象～
はじめに
(製造工程などで)目標値になるように製造条件の調整をすると、かえってばらつきが増えてしまうことがある。 この現象をEXCELでシミュレーションする。
EXCELでのシミュレーション手順
以下に、EXCELでの作成手順を示す。
0. 目標値は「0」でこれを中心に「±1」ばらつくとする。
1. 測定結果をランダムデータとして作成する。
式は「=RAND()*2-1」
2. 目標値との差分から、補正値を決める。
3. 調整した結果の列を作成する
グラフを以下に示す。
これを100回繰り返す。
結果
以下に100回繰り返した結果のグラフを示す。
と同じ程度の値である。
この現象は、ランダムなデータに対して、別のランダムなデータを足しているので、分散の加法性が成立していると解釈できる。
参考文献
品質工学の本で見たはずの話。
雑音指数測定のメモ
はじめに
ここでいう雑音は、増幅器に通したときに付加される雑音のことです。熱雑音とかショット雑音が主であるらしい[要出典]
雑音指数の測定原理
測定器メーカーによる説明へのリンク
雑音指数(Noise Figure)の測定方法
スペクトラム・アナライザの基礎 – 雑音指数
ネットワーク・アナライザによる雑音指数の測定に関するFAQ
ネットワーク・アナライザによる雑音指数の測定に関するFAQ - Technical Support Knowledge Center Open
雑音指数の測定の報告
雑音パラメータと呼ばれるものを測定する報告。雑音はソースのインピーダンスに依存して変化する。その変化の仕方を記述する式がある。その式の中のパラメータを測定する話です。
https://ieeexplore.ieee.org/document/6422439
測定の際に、測定したい部分、いわゆるDUT (Device Under Test) 以外の部分が含まれてしまうのでそれを除去する報告。ディエンベッディング技術と呼ばれる。
https://ieeexplore.ieee.org/document/7046396
不確かさの見積もり。
マイクロ波計測のTIPS的なものへのリンク
マニュアルにない計測技術
－高周波計測におけるノウハウとエチケット－
https://apmc-mwe.org/mwe2017/pdf/tut16/TH2A-0.pdf
2.4 コネクタ接続時に発生する破損事故
2.5 マイクロ波コネクタのコネクタ・ケア
ベクトルネットワークアナライザ計測の基礎と応用
https://apmc-mwe.org/mwe2018/pdf/tut17/TH5A-2.pdf
3.2. 測定の精度と確度を悪化させる要因
RF 測定ガイド
https://mwe-online.apmc-conf.org/wp-content/uploads/2020/10/k_064_07.pdf
7.2 測定系の裸特性の確認
LogMag 表示で見て、ショートまたはオープンのトレースとロードのトレースの差が 10ｄB 以上確保されていれば大丈夫です。
イオン注入のAAポヨ
シリコンにリン(P)を打ち込んでN型半導体にします
リン(P)リン(P)リリン(P) リン(P)リン(P)リリン(P)
リン(P)リン(P)リリン(P) リン(P)リン(P)リリン(P)
P SiSiSiSiSiSiSi
三三三P SiSiSiSiSiSiSi
三三三三三三P SiSiSiSiSiSiSi
SiSiPSiSiSiSiSi
＞＞！！ N型半導体 ！！＜＜
シリコンにボロン(B)を打ち込んだ後、アニールしてP型半導体にします。
加速電圧によりボロンの打ち込み位置が変わることを表現しました。
50keV)
SiSiSiSiSiSiSiSiSi B三
🔥
SiSiSiSiSiSiSiBSi
100keV)
SiSiSiSiSiSiSiSiSi B三三
🔥
SiSiSiSiSiSiBSiSi
200keV)
SiSiSiSiSiSiSiSiSi B三三三三
🔥
SiSiSiSiBSiSiSiSi
Twitterでの投稿
参考文献
Ion implantation in semiconductors—Part I: Range distribution theory and experiments
大きなトランジスタを分布定数で記述する論文のメモ
はじめに
電気回路というものは動作速度が上がってくると集中定数回路ではなく分布定数回路で記述する必要が出てきます。集中と分布との境界は大雑把な話として動作周波数に対して回路が同じ電圧であるとみなせるかどうかで決まります。下記は電圧の波長と回路のサイズで両者の違いを模式的に示したものです。
従いまして、半導体ダイであっても集中定数回路ではなく分布定数回路で記述したほうが精度や設計等の点から適していることもあり得るわけです。ここではそのような文献をいくつかメモしておきます。
文献の羅列
ミリ波で動作する、化合物半導体によるガリウムヒ素(GaAs)によるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を小信号分布定数回路モデルで表現した論文です。
"Small-signal distributed model for GaAs HBT's and S-parameter prediction at millimeter-wave frequencies" 1997
https://ieeexplore.ieee.org/document/568032
ミリ波で高電子移動度トランジスタ(HEMT)を分布定数回路でスケーラブルなモデルとしたものです。
"Scalable distributed small-signal millimeter-wave HEMT model" 2011
https://ieeexplore.ieee.org/document/6102810
これは上記２つのようなマイクロ波半導体ではなく、パワーMOSFETの報告です。
"Full-chip simulation analysis of power MOSFET's during unclamped inductive switching with physics-base device models" 2019
https://ieeexplore.ieee.org/document/8757577
上記の続きともいえる報告です。
"Dynamic in-chip current distribution simulation technology for power device layout design" 2021
https://ieeexplore.ieee.org/document/9452233
半導体ダイの内部での温度分布も含めてモデル化した報告です。 "Modeling of In-chip Current-Temperature Distribution of SiC Power MOSFETs during Fast Switching Events" 2022
