シリコンにリン(P)を打ち込んでN型半導体にします
リン(P)リン(P)リリン(P) リン(P)リン(P)リリン(P)
リン(P)リン(P)リリン(P) リン(P)リン(P)リリン(P)
P SiSiSiSiSiSiSi
三三三P SiSiSiSiSiSiSi
三三三三三三P SiSiSiSiSiSiSi
SiSiPSiSiSiSiSi
＞＞！！ N型半導体 ！！＜＜
シリコンにボロン(B)を打ち込んだ後、アニールしてP型半導体にします。
加速電圧によりボロンの打ち込み位置が変わることを表現しました。
50keV)
SiSiSiSiSiSiSiSiSi B三
🔥
SiSiSiSiSiSiSiBSi
100keV)
SiSiSiSiSiSiSiSiSi B三三
🔥
SiSiSiSiSiSiBSiSi
200keV)
SiSiSiSiSiSiSiSiSi B三三三三
🔥
SiSiSiSiBSiSiSiSi
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参考文献
Ion implantation in semiconductors—Part I: Range distribution theory and experiments
